三极管原理， 三极管的原理：
三极管是控制元件，主要用来控制电流。以共发射极连接方式为例(信号从基极输入，集电极输出，发射极接地)。当基极电压UB发生微小变化时，基极电流IB也会发生微小变化，这是由基极电流IB控制的。
集电极电流IC会有很大的变化。基极电流IB越大，集电极电流IC也越大。反之，基极电流越小，集电极电流越小，即基极电流控制集电极电流的变化。
三极管的理论原理
晶体管(以下简称三极管)按材料分锗管和硅管两种。它们中的每一种都有两种结构形式：NPN和PNP，但硅NPN和锗PNP是最常用的三极管，(其中N在英语中代表负)。
n型半导体是在高纯硅中加入磷来取代部分硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P表示正电，表示加入硼来取代硅，产生大量空穴以利于导电)。两者除了电源极性不同，工作原理都是一样的。
下面只介绍NPN硅管的电流放大原理。
对于NPN管，它由两个N型半导体组成，中间夹着一个P型半导体。发射极区和基极区之间形成的PN结称为发射极结，集电极区和基极区之间形成的PN结称为集电极结。
这三条引线被称为发射极e(发射极)、基极b(基极)和集电极c(集电极)。如图1中所示
当B点的电位比E点的电位高几伏时，发射极结处于正向偏置状态，而当C点的电位比B点的电位高几伏时，集电极电源Ec高于基极电源Eb。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区，同时把基区做得很薄，严格控制杂质含量，这样一旦接通电源，由于发射极结的正偏置，
发射区的多数载流子(电子)和基区的多数载流子(空穴)很容易穿过发射结相互扩散，但由于前者的浓度基数大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，称为发射电子流。
由于基区薄和集电极结反向偏置，注入基区的电子大部分穿过集电极结进入集电极区形成集电极电流Icn，只有少数(1-10%)电子在基区空穴中复合，基区复合的空穴由基区电源Eb补充。
从而形成基极电流Ibn。
根据电流连续性原理：
Ie=Ib+Ic
也就是说，如果在基极上加一个小的Ib，就可以在集电极上得到一个大的Ic，称为电流放大，Ic和Ib保持一定的比例关系，即：
1=Ic/Ib
其中：1-称为DC放大率，
集电极电流变化Ic与基极电流变化Ib的比值为：
=Ic/Ib
公式中，-称为交流电流放大系数。因为1和在低频时差别不大，有时为了方便，两者并没有严格区分，值大概在几十到100以上。
1=Ic/Ie(Ic和Ie是DC路径中的电流幅度)
其中：1，也称为DC放大因子，一般用于共基极配置放大器电路，描述发射极电流和集电极电流之间的关系。
=Ic/Ie
表达式中的是交流共基极电流的放大倍数。同样，小信号输入时，和1相差不大。
三极管的电流放大作用，其实就是利用基极电流的小变化来控制集电极电流的大变化。
三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中，三极管的电流放大往往通过电阻转化为电压放大。
三极管的放大原理
1.发射区向基极区发射电子。
电源Ub通过电阻Rb施加在发射极结上，发射极结正偏置，发射极区的多数载流子(自由电子)不断穿过发射极结进入基极区，形成发射极电流Ie。同时，基区中的多数载流子也扩散到发射区，但是因为多数载流子的浓度远低于发射区中的浓度，
这个电流可以忽略，所以可以认为发射结主要是电子流。
2.基区中电子的扩散和复合
电子进入基区后，首先集中在发射极结附近，逐渐形成电子浓度差。在浓度差的作用下，电子流扩散到基区的集电极结，被集电极结的电场拉入集电极区，形成集电极电流ic。
还有少量电子(因为基区很薄)与基区空穴复合，扩散电子流与复合电子流的比值决定了晶体管的放大能力。
3.集电极区域收集电子。
因为施加在集电极结上的反向电压很大，这个反向电压产生的电场力会阻止集电极区的电子扩散到基极区，同时将集电极结附近扩散的电子拉入集电极区，形成集电极主电流Icn。此外，集电极区域中的少数载流子(空穴)也会漂移，
用Icbo表示的反向饱和电流非常小，但对温度极其敏感。
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